X射线检测广泛应用于医学影像、放射性检测、安全检查、工业探伤等领域。近年来，金属卤化物钙钛矿在X射线和伽马射线探测方面表现出了优异的性能。然而，大多数研究都集中在钙钛矿单像素设备上。为实现X射线成像器的应用目标，探测器应与像素电路集成。

这意味着器件暗电流是需要考虑的重要品质因数。低暗电流可以保证响应范围，减少噪声波动。一般来说，构建结型器件可以有效抑制暗电流。但对于厚钙钛矿X射线探测器，结器件的性能普遍较差，尤其是p-n结。底层机制仍不清楚。

由中国华中科技大学武汉光电国家实验室牛光大教授领导的研究团队总结并建立了厚钙钛矿X射线探测器的暗电流模型。

他们定量评估了与像素电路集成的X射线成像器的暗电流要求，该要求低至每平方厘米纳安。此外，半导体器件分析和仿真表明，厚钙钛矿X射线探测器的主要电流分量包括热电子发射电流和产生复合电流两种。

他们在肖特基和pn结器件结构上设计了多组实验，以表明厚探测器中通常观察到的p-n结失效是由异能带失配和界面缺陷引起的高生成复合电流引起的。研究人员认为，这项工作可以深入了解应用于X射线成像仪的高灵敏度和低暗电流钙钛矿探测器的设计。